Jednostki i pracownicy - książka adresowa

dr hab. Jerzy Żuk

Stanowisko
profesor uczelni
Jednostki
KATEDRA FIZYKI MATERIAŁOWEJ
Telefon
0815376208
Adres e-mail
Wyświetl
Konsultacje

Semestr Letni 2018/19


środa 10:00 - 11:00


piątek 9:00 - 10:00

Działalność naukowa

Projekty

1. Kierownik grantu OPUS 2016/23/B/ST7/03451 "Inżynieria przerwy energetycznej w Ge

z wykorzystaniem procesów nierównowagowych" (2017-2020).

2. Kierownik projektu MNiSW „Badania własności optycznych i elektrycznych struktur MOSLED

zawierających nanokropki kwantowe związków półprzewodnikowych AIIIBV lub AIIBVI oraz

ziemie rzadkie”  (2010-2013).

3. Kierownik projektu “Domieszkowanie węglika krzemu metodą implantacji jonowej” w

ramach Projektu Badawczego Zamawianego PBZ MEiN-6/2/2006 (2007-2010).

 

 

Publikacje naukowe

1. S. Prucnal, Y. Berencen, M. Wang, J. Grenzer, M. Voelskow, R. Hubner, Y. Yamamoto, A. Scheit, F.Barwolf, V. Zviagin, R. Schmidt-Grund, M. Grundmann, J. Żuk, M. Turek, A.Droździel, K. Pyszniak, R. Kudrawiec, M. P. Polak, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou, "Strain and Band-Gap Engineering in Ge-Sn Alloys via P Doping", Physical Review Applied 10 (2018) 064055-11.

2. L. Gluba, O. Yastrubchak, J.Z. Domagala, R. Jakiela, T. Andrearczyk, J. Żuk, T.Wosinski, J. Sadowski, M. Sawicki, "Band structure evolution and the origin of magnetism in (Ga,Mn)As: From paramagnetic through superparamagnetic to ferromagnetic phase", Physical Review B97 (2018) 115201.

3. M. Kulik, D. Kołodyńska, J. Zuk, A. Bayramov, A. Olejniczak, A. Drozdziel, "Dielectric functions E1 and E1 + Δ in near region of critical points and chemical composition of near surface layers of ions implanted GaAs", Surface and Coatings Technology 355 (2018) pp. 200-206.

4. M. Makhavikou, M., Komarov, F., Parkhomenko, I., Vlasukova, L., O. Milchanin, J. Żuk, Wendler, E., Romanov, I., Korolik, O., Togambayeva, A., Structure and optical properties of SiO2 films with ZnSe nanocrystals formed by ion implantation,  Surface and Coatings Technology 344 (2018) pp. 596-600.

5. Kulik, M.,  D. Kołodyńska, A. Bayramov, Drozdziel, A., Olejniczak, A. J. Żuk,
"Dielectric functions, chemical and atomic compositions of the near surface layers of implanted GaAs by In+ ions", Spectrocimica Acta - Part A: Molecular and Biomolecular Spectroscopy 198 (2018) pp. 222-231.

6. F. F. Komarov, M. A. Makhavikou, L. A. Vlasukova, O. V. Milchanin,  A. Skuratov, A. Janse Vuuren, J. N. Neetling, I. N. Parkhomenko, J. Żuk, "Structural Transformation of “Silica+Zn” Nanocomposite after Annealing in Oxidizing Atmosphere", Semiconductors 52 (2018) pp. 2109-2111.

7. I. Parkhomenko, L. Vlasukova, F. Komarov, O. Milchanin, M. Makhavikou, A. Mudryi, V. Zhivulko, J. Żuk, P. Kopyciński, D. Murzalinov, "Origin of visible photoluminescence from Si-rich and N-rich silicon nitride films,Thin Solid Films", 626 (2017) 70-75. 

8. S. Prucnal, M. Glaser, A. Lugstein, E.  Bertagnolli, , M. Stöger-Pollach, S. Zhou, M. Helm, D. Reichel, L. Rebohle, M. Turek, J. Żuk, W. Skorupa, "III–V semiconductor nanocrystal formation in silicon nanowires via liquid-phase epitaxy", Nano Research 7 ( 2014) 1769.

9. O. Yastrubchak, J. Sadowski, L. Gluba, J.Z. Domagała, M. Rawski, J. Żuk, M. Kulik, T. Andrearczyk, T. Wosinski, "Ferromagnetism and the electronic band structure in (Ga,Mn)(Bi,As) epitaxial layers", Appl. Phys. Letters 105 (2014) 072402.

10. L. Gluba, O. Yastrubchak, G. Sęk, W. Rudno-Rudziński, J. Sadowski, M. Kulik, W. Rodkiewicz, M. Rawski, T. Andrearczyk, T. Wosinski, J. Żuk, "On the nature of the Mn-related states in the band structure of (Ga,Mn)As alloys via probing the E1 and E1+D1 optical transitions", Applied Physics Letters, 105 (2014) 032408.

11. O. Yastrubchak, T. Wosinski, L. Gluba, T. Andrearczyk, J. Z. Domagala, J. Zuk, J. Sadowski, “Effect of low-temperature annealing on the electronic- and band-structure of (Ga,Mn)As epitaxial layers”,  J. Appl. Phys. 115 (2014) 012009.

12. F. Komarov, L. Vlasukova, O. Milchanin, W. Wesch, E. Wendler, J. Zuk, I. Parkhomenko, "Ion-beam synthesis and characterization of narrow-gap A3B5 nanocrystals in Si: Effect of implantation and annealing regimes", Materials Science and Engineering B 178 (2013) 1169.